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机译:GaN高电子迁移率晶体管的射频功率退化
Jungwoo Joh; Jesús A. Del Alamo;
机译:栅极放置对GaN高电子迁移率晶体管中RF功率下降的影响
机译:射频工作期间AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热电子降解:与GaN缓冲设计的关系
机译:高功率和高温直流应力下GaN高电子迁移率晶体管的电和结构退化
机译:GaN高电子迁移率晶体管的RF功率衰减
机译:逆压电效应导致的GaN高电子迁移率晶体管的退化评估
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:GaN HEMT GaN功率高电子迁移率晶体管功率放大器
机译:GAN POWER高电子移动性晶体管功率放大器
机译:使用增强型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的多功能电源控制电路
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